[Isère] STMICROELECTRONICS et SOITEC coopèrent sur les substrats SiC

ST et Soitec poursuivent, sur les 18 prochains mois, leur coopération relative aux substrats en carbure de silicium (SiC) avec la qualification par ST de la technologie de production desubstrats en SiC de Soitec.

L'objectif est l'adoption par ST de la technologie SmartSiC de Soitec pour sa fabrication future de substrats en 200 mm destinés à la production de produits et de modules. La transition vers des plaquettes SiC en 200 mm apportera des avantages substantiels aux clients industriels et du secteur de l'automobile qui accélèrent la transition vers l'électrification de leurs systèmes et de leurs produits.

Le carbure de silicium (SiC) est un composé semiconducteur de rupture dont les propriétés intrinsèques assurent des performances et un rendement plus élevés que le silicium dans les applications de puissance clés à forte croissance, telles que l'électromobilité et les processus industriels. Cette technologie permet de convertir l'énergie avec une plus grande efficacité, de réaliser des designs plus légers et plus compacts, ainsi que de réduire le coût global de conception des systèmes.